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图片仅供参考，请参考产品描述

  • CSD83325LT

  • 制造商：Texas Instruments
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET 12V Dual N ch MOSFET
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 制造商:Texas Instruments
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技术:Si
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:BGA-6
  • 通道数量:2 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:12 V
  • Id-连续漏极电流:8 A
  • Rds On-漏源导通电阻:5.9 mOhms
  • Vgs th-栅源极阈值电压:950 mV
  • Vgs - 栅极-源极电压:10 V
  • Qg-栅极电荷:8.4 nC
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:2.3 W
  • 配置:Dual
  • 商标名:NexFET
  • 封装:Cut Tape
  • 封装:MouseReel
  • 封装:Reel
  • 高度:0.2 mm
  • 长度:2.2 mm
  • 产品:Power MOSFET
  • 系列:CSD83325L
  • 晶体管类型:2 N-Channel
  • 宽度:1.15 mm
  • 商标:Texas Instruments
  • 正向跨导 - 最小值:36 S
  • 下降时间:589 ns
  • 产品类型:MOSFET
  • 上升时间:353 ns
  • 工厂包装数量:250
  • 子类别:MOSFETs
  • 典型关闭延迟时间:711 ns
  • 典型接通延迟时间:205 ns
  • 单位重量:1.500 mg

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