专注IC现货，您所值得信赖的IC供应商！欢迎联系我们获取IC报价，无最低订购数量、最快当天发 快速询价热线：0755-82553443

当前位置:  TI  >>  TI型号  >>  CSD19505KTT详细信息

CSD19505KTT相关型号
TI热销型号

  • XTR106P

    传感器接口 4-20mA Crnt Trnsmtr w/Bridger Exc & Lin

  • XIO2001IZAJ

    PCI接口IC x1 PCI Exp to PCI Bus Trans Bridge

  • XIO2221ZAY

    PCI接口IC PCI Expr To 1394b OHCI W/ 1-Port PHY

  • XIO2001ZAJ

    PCI接口IC PCI Exp to PCI Bus Translation Bridge

  • XIO1100ZGB

    PCI接口IC X1 PCI Express PHY

  • XIO2001ZGU

    PCI接口IC x1 PCI Exp to PCI Bus Trans Bridge

  • XTR105P

    传感器接口 4-20mA Crnt Trnsmtr w/Sensor Exc & Lin

  • XTR112U

    传感器接口 4-20mA Crnt Trnsmtr w/Sensor Exc & Lin

图片仅供参考，请参考产品描述

  • CSD19505KTT

  • 制造商：Texas Instruments
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET 80V, N-Channel NexFET Power Mosfet
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

优势价格，CSD19505KTT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式，3分钟内即可给您回复
  • *姓名：
  • *电话：
  • Q Q：
  • *邮箱：

详细参数

  • 制造商:Texas Instruments
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技术:Si
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:TO-263-3
  • 通道数量:1 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:80 V
  • Id-连续漏极电流:150 A
  • Rds On-漏源导通电阻:3.1 mOhms
  • Vgs th-栅源极阈值电压:2.2 V
  • Vgs - 栅极-源极电压:20 V
  • Qg-栅极电荷:76 nC
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 175 C
  • Pd-功率耗散:300 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 商标名:NexFET
  • 封装:Cut Tape
  • 封装:MouseReel
  • 封装:Reel
  • 高度:19.7 mm
  • 长度:9.25 mm
  • 系列:CSD19505KTT
  • 晶体管类型:1 N-Channel
  • 宽度:10.26 mm
  • 商标:Texas Instruments
  • 正向跨导 - 最小值:262 S
  • 下降时间:3 ns
  • 湿度敏感性:Yes
  • 产品类型:MOSFET
  • 上升时间:5 ns
  • 工厂包装数量:500
  • 子类别:MOSFETs
  • 典型关闭延迟时间:22 ns
  • 典型接通延迟时间:11 ns

其它信息

一级代理商，大小批量出货，欢迎来询

TI的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格 是以终端使用（制造工厂、大专院校、研究院所）为主要客户

深圳市凌创微科技有限公司

专注TI品牌，力争做行业的引领者

7X24小时询价热线

0755-82553443